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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
58
读取速度,GB/s
4,241.0
17.7
写入速度,GB/s
1,950.7
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1968
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
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