RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3193
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link