RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
34
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3193
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link