RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3736
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link