RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3736
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link