Comparaison de la RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Note globale

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

35 83

Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.4 14.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 7.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2321 1752

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns