RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
83
Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
83
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
1752
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link