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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
83
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
83
读取速度,GB/s
14.4
14.3
写入速度,GB/s
9.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1752
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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