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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2974
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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