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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
14.0
13.6
写入速度,GB/s
9.2
6.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
1764
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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