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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
50
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
50
读取速度,GB/s
10.1
9.6
写入速度,GB/s
7.8
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2111
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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