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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
49
读取速度,GB/s
12.8
8.8
写入速度,GB/s
9.4
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2331
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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