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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
19.1
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
4053
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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