RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3762
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link