RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3762
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link