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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2605
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calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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