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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 35
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2605

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