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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
3169
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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