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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
7.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3169
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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