RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
2346
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link