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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
2346
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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