RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
61
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
61
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2028
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link