RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3415
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link