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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2782
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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