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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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