RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1998
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link