RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2760
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link