RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2855
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link