RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2702
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link