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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2702
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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