RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3227
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link