RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
41
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2021
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link