RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2892
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link