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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
11.7
15.4
写入速度,GB/s
7.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2892
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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