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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
75
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
75
读取速度,GB/s
16.1
14.5
写入速度,GB/s
10.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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