Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

总分
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

总分
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    69 left arrow 121
    左右 -75% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    121 left arrow 69
  • 读取速度,GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • 写入速度,GB/s
    2.2 left arrow 4.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    425 left arrow 1148
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最新比较