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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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考慮すべき理由
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
69
121
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
6.3
2.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
4.8
2.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
121
69
読み出し速度、GB/s
2.5
6.3
書き込み速度、GB/秒
2.2
4.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
425
1148
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Frequency (Mhz) *
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