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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

総合得点
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

総合得点
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    69 left arrow 121
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    121 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2.2 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    425 left arrow 1148

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