Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Puntuación global
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Puntuación global
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    69 left arrow 121
    En -75% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    121 left arrow 69
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2.2 left arrow 4.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    425 left arrow 1148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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