Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Note globale
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Note globale
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    69 left arrow 121
    Autour de -75% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    121 left arrow 69
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2.2 left arrow 4.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    425 left arrow 1148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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