RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Vergleichen Sie
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Gesamtnote
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Gesamtnote
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
121
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.3
2.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.8
2.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
121
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2.5
6.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.2
4.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
425
1148
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link