Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Gesamtnote
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

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Gesamtnote
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

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Unterschiede

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    69 left arrow 121
    Rund um -75% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    121 left arrow 69
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2.2 left arrow 4.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    425 left arrow 1148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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