PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Gesamtnote
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 27
    Rund um -8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.2 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 12.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 3187
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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