PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 27
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 3187
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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