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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2640
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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