RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2640
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link