Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB против PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    69 left arrow 121
    Около -75% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6.3 left arrow 2.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    4.8 left arrow 2.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    121 left arrow 69
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2.5 left arrow 6.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    2.2 left arrow 4.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    425 left arrow 1148
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения