RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Сравнить
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB против PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Средняя оценка
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
121
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.3
2.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.8
2.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
121
69
Скорость чтения, Гб/сек
2.5
6.3
Скорость записи, Гб/сек
2.2
4.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
425
1148
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB Сравнения RAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link