RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    63 left arrow 69
    Около 9% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    5.0 left arrow 4.8
    Среднее значение в тестах
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB Причины выбрать
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    6.3 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 69
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.1 left arrow 6.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.0 left arrow 4.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1274 left arrow 1148

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM

AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
модули RAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
модули RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
модули RAM