Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Punteggio complessivo
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    69 left arrow 121
    Intorno -75% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    6.3 left arrow 2.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    4.8 left arrow 2.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    121 left arrow 69
  • Velocità di lettura, GB/s
    2.5 left arrow 6.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2.2 left arrow 4.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    425 left arrow 1148
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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