RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Compara
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Puntuación global
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
69
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.8
1,779.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
4200
En 2.52 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
69
Velocidad de lectura, GB/s
3,448.1
6.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,779.3
4.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
10600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
298
1148
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link