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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
75
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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