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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
126
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
126
读取速度,GB/s
9.8
12.9
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1108
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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