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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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规格
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
10.9
15.7
写入速度,GB/s
7.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2706
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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